Les bornes du collecteur et de l'émetteur d'un transistor sont-elles interchangeables? Sinon, quelle est la différence physique entre l'émetteur et le collecteur?


Réponse 1:

Emprunté de:

http: //www.nptel.ac.in/courses/1 ...

Transistor biploar:

Un transistor est essentiellement un cristal de Si ou de Ge contenant trois régions distinctes. Il peut être de type NPN ou PNP fig. 1. La région centrale est appelée la base et les deux régions extérieures sont appelées émetteur et collecteur. Les couches extérieures bien qu'elles soient du même type mais leurs fonctions ne peuvent pas être modifiées. Ils ont des propriétés physiques et électriques différentes. Dans la plupart des transistors, l'émetteur est fortement dopé. Son travail consiste à émettre ou à injecter des électrons dans la base. Ces bases sont légèrement dopées et très minces, elles transmettent la plupart des électrons injectés par l'émetteur au collecteur. Le niveau de dopage du collecteur est intermédiaire entre le fort dopage de l'émetteur et le dopage léger de la base. Le collecteur est ainsi nommé car il recueille les électrons de la base. Le collectionneur est la plus grande des trois régions; il doit dissiper plus de chaleur que l'émetteur ou la base. Le transistor a deux jonctions. L'un entre l'émetteur et la base et l'autre entre la base et le collecteur. De ce fait, le transistor est similaire à deux diodes, une diode émettrice et une autre diode base collecteur.

Fig. 1

Lorsqu'un transistor est réalisé, la diffusion d'électrons libres à travers la jonction produit deux couches de déplétion. Pour chacune de ces couches de déplétion, le potentiel de barrière est de 0,7 V pour le transistor Si et de 0,3 V pour le transistor Ge. Les couches de déplétion n'ont pas la même largeur, car différentes régions ont des niveaux de dopage différents. Plus une région est fortement dopée, plus la concentration d'ions près de la jonction est importante. Cela signifie que la couche d'appauvrissement pénètre plus profondément dans la base et légèrement dans l'émetteur. De même, il pénètre davantage dans le collecteur. L'épaisseur de la couche d'appauvrissement du collecteur est grande tandis que la couche d'épuisement de base est petite comme indiqué sur la fig. 2.

Fig.2


Réponse 2:

Ils auront des caractéristiques de dopage différentes. Peut-être plus important encore, le collecteur dissipera davantage de chaleur perdue et a donc un chemin de résistance thermique plus faible vers le boîtier. Si je me souviens bien de mon cours sur les appareils électroniques semi-conducteurs il y a 30 ans, il y a des différences physiques dans la taille de la jonction émetteur de base par rapport à la jonction collecteur de base.

Je crois que le transistor fonctionnera à l'envers, mais pas bien. Si vous étiez vraiment curieux, vous pourriez toujours prendre deux petits transistors de signal et générer des courbes pour les deux. Inversez ensuite l'un d'eux et exécutez un autre ensemble de courbes. Ma prédiction est que le transistor inversé a un gain plus faible et plus de fuite ainsi qu'un décalage plus important, peut-être permanent, des caractéristiques avec la chaleur.


Réponse 3:

Ils auront des caractéristiques de dopage différentes. Peut-être plus important encore, le collecteur dissipera davantage de chaleur perdue et a donc un chemin de résistance thermique plus faible vers le boîtier. Si je me souviens bien de mon cours sur les appareils électroniques semi-conducteurs il y a 30 ans, il y a des différences physiques dans la taille de la jonction émetteur de base par rapport à la jonction collecteur de base.

Je crois que le transistor fonctionnera à l'envers, mais pas bien. Si vous étiez vraiment curieux, vous pourriez toujours prendre deux petits transistors de signal et générer des courbes pour les deux. Inversez ensuite l'un d'eux et exécutez un autre ensemble de courbes. Ma prédiction est que le transistor inversé a un gain plus faible et plus de fuite ainsi qu'un décalage plus important, peut-être permanent, des caractéristiques avec la chaleur.